イメージセンサブログ

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IEDM2009 Sony paper   2009.12.14

IEDM2009ではCMOSイメージセンサ関連の発表はソニーからの一件のみでしたが、簡単に紹介したいと思います。

0.9um Pitch Pixel CMOS Image Sensor Design Methodology
K. Itonaga, et al. Sony Corporation

"We demonstrated the first ever 0.9um pitch pixel CMOS image sensor (CIS), and revealed the problems that are likely to be encountered in future device structures. We developed a set of guidelines for the design of high quantum efficiency (QE) CISs, and verified their validity by comparing the image quality of 0.9, 1.12, 1.4 and 1.75um CISs. in addition, we proposed a simple methodology to optimize more complicated submicron pitch CIS structures."

μレンズ形状、メタル開口、stack height等のパラメータを用いて光学simulationを行いガイドラインを作成、実際にデバイスを作成して（0.9, 1.12, 1.4 及び 1.75um画素。すべてFSI。FEOLは0.18umプロセス、BEOLはCu 65nmプロセス）その手法の有効性を確認した、との内容です（1.1um画素はOK。0.9um画素はQEの条件を満たさず）。

他社の方ともディスカッションをしましたが、BEOLに65nmプロセスを使い、又、stack heightが充分低ければFSIでもそこそこの画質の（SNR10〜100Lux）1.1〜1.2nm画素デバイスは可能な印象を受けました（暗電流、read noise等も考慮して）。

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